Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет
В. Н. Мурашев
С позиций радиационной технологии микроэлектроники процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки наиболее интересен, поскольку именно он в первую очередь определяет концентрацию и свойства вторичных радиационных дефектов – радиационных центров (РЦ), образующихся в результате последующего взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. Стабильные во времени и по температуре РЦ действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и даже геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовления
- Категория: электроника
- Правообладатель: МИСиС
- Год написания: 2001
- Возрастное ограничение: 0+
- Легальная стоимость: 224.00 руб.
Читать книгу «Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет» онлайн:
Комментарии ():
Вам также может понравиться:
