Автор: В. Н. Мурашев
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов, ИС и БИС. Проектирование и расчет КМОП-схем с коротким каналом
В. Н. Мурашев
В пособии показано, как с помощью достаточно простых аналитических выражений можно определить базовые конструктивно-технологические параметры ИС и рассчитать динамические параметры весьма близкие к тем, которые дает более детальное моделирование...
Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет
В. Н. Мурашев
С позиций радиационной технологии микроэлектроники процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки наиболее интересен, поскольку именно он в первую очередь определяет концентрацию и свойства вторичных радиационных дефектов –...
Моделирование полупроводниковых приборов
В. Н. Мурашев
Данный курс лекций является частью курса “Моделирование технологических процессов”. В нем приведены основные уравнения, описывающие работу полупроводниковых приборов, и основные подходы к их решению, применяемые при моделировании; предложены...
