Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
Vinod Khanna Kumar
A comprehensive and «state-of-the-art» coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.
- Категория: электроника
- Правообладатель: John Wiley & Sons Limited
- Возрастное ограничение: 0+
- ISBN: 9780471660996
- Легальная стоимость: 18428.70 руб.
Читать книгу «Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design» онлайн:
Комментарии ():
Вам также может понравиться:
