Гетероструктурная наноэлектроника
3.1 из 5, отдано 9 голосов
Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.
-
Категория: электроника
-
Правообладатель: МИСиС
-
Год написания: 2009
-
Возрастное ограничение: 0+
-
Легальная стоимость: 588.00 руб.
Читать книгу «Гетероструктурная наноэлектроника» онлайн: