Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5
Юрий Раков
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.
- Категория: учебники и пособия для вузов
- Правообладатель: Новосибирский государственный технический университет
- Возрастное ограничение: 0+
- ISBN: 978-5-7782-1618-1
- Легальная стоимость: 115.00 руб.
Читать книгу «Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5» онлайн:
Комментарии ():
Вам также может понравиться:
