Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
3.15 из 5, отдано 16 голосов
A comprehensive and «state-of-the-art» coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.
-
Категория: техническая литература
-
Правообладатель: John Wiley & Sons Limited
-
Возрастное ограничение: 0+
-
ISBN: 9780471660996
-
Легальная стоимость: 24296.32 руб.
Читать книгу «Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design» онлайн: